Контакты
Адрес
Украина, Харьковская область, Харьков, 61001, пр. Ленина 60
Руководитель
директор Пузиков Вячеслав Михайлович
Телефоны компании
Дирекция
+380
При заказе сообщите менеджеру о том, что информацию вы узнали на Allbiz. Благодарим за то, что покупаете с Allbiz!
Отдел маркетинга
+380
При заказе сообщите менеджеру о том, что информацию вы узнали на Allbiz. Благодарим за то, что покупаете с Allbiz!
Внешнеэкономический отдел
+380
При заказе сообщите менеджеру о том, что информацию вы узнали на Allbiz. Благодарим за то, что покупаете с Allbiz!
Интернет
Сайт:
О компании
Институт монокристаллов НАН Украины (Institute for Single Crystals), ГП
Институт монокристаллов (Украина, г. Харьков) имеет более чем полувековую историю и является одним из лидеров на территории бывшего СССР по следующим направлениям деятельности:
• разработка и совершенствование методов и техники роста оптических и конструкционных
диэлектрических монокристаллов;
• исследование лазерных, оптических и полупроводниковых кристаллов и покрытий;
• производство оптических и конструкционных кристаллов различного назначения.
Многолетний опыт поиска оптимальных методов и развития технологий позволяет получать кристаллы высочайшего качества. Исследования и разработки института востребованы не только в Украине, но и далеко за ее пределами - об этом свидетельствуют наши широкие научные и производственные связи, участие в крупных международных научных экспериментах, расширение внешнеэкономической деятельности на основе созданных высоких технологий.
Отличительной чертой института является законченный цикл научных разработок - от идеи, через исследования и создание к внедрению в производство.
Мы предлагаем: оборудование и технологии для выращивания кристаллов (методом Киропулоса, методом Чохральского, методом Степанова (EFG), методом рециркуляции растворителя, методом Бриджмена), а также материалы (сапфир, гранаты, II-VI, CWO, PWO, KDP, DKDP, наноматериалы) и изделия из них (пассивную оптику, подложки, нелинейную оптику, лазерные элементы, детекторы излучений, конструкционные элементы).
• разработка и совершенствование методов и техники роста оптических и конструкционных
диэлектрических монокристаллов;
• исследование лазерных, оптических и полупроводниковых кристаллов и покрытий;
• производство оптических и конструкционных кристаллов различного назначения.
Многолетний опыт поиска оптимальных методов и развития технологий позволяет получать кристаллы высочайшего качества. Исследования и разработки института востребованы не только в Украине, но и далеко за ее пределами - об этом свидетельствуют наши широкие научные и производственные связи, участие в крупных международных научных экспериментах, расширение внешнеэкономической деятельности на основе созданных высоких технологий.
Отличительной чертой института является законченный цикл научных разработок - от идеи, через исследования и создание к внедрению в производство.
Мы предлагаем: оборудование и технологии для выращивания кристаллов (методом Киропулоса, методом Чохральского, методом Степанова (EFG), методом рециркуляции растворителя, методом Бриджмена), а также материалы (сапфир, гранаты, II-VI, CWO, PWO, KDP, DKDP, наноматериалы) и изделия из них (пассивную оптику, подложки, нелинейную оптику, лазерные элементы, детекторы излучений, конструкционные элементы).
В наличии
Оптические окна и заготовки прямоугольные
Окна оптические и заготовки прямоугольной формы размером (10…350)х(10…500) мм2 и толщиной до 40 мм.
Спецификация
Размеры, мм
(10...350)х(10...500), толщина до 40
Точность изготовления, мм
по габаритным размерам
по...
Группа: Оптические окна
В наличии
Элементы оптические
Материал: Al2O3
Размеры, макс.: 350×350×30 мм3
Оптические окна и заготовки прямоугольные
Окна оптические и заготовки прямоугольной формы размером (10…350)х(10…500) мм2 и толщиной до 40 мм.
Спецификация
Размеры, мм
(10...350)х(10...500), толщина до...
Группа: Элементы оптические
В наличии
Заготовки лазерных элементов
Высококачественные кристаллы Ti:сапфира, выращенные методами горизонтальной направленной кристаллизации и Чохральского - заготовки для изготовления лазерных элементов.
Спецификация заготовок лазерных элементовКонцентрация Ti3+, вес. %0,05-0,3
FOM (в...
Группа: Лазеры
В наличии
Профилированный сапфир. Кристаллические материалы
Мы предлагаем: оборудование и технологии для выращивания кристаллов (методом Киропулоса, методом Чохральского, методом Степанова (EFG), методом рециркуляции растворителя, методом Бриджмена), а также материалы (сапфир, гранаты, II-VI, CWO, PWO, KDP,...
Группа: Кристаллические материалы
В наличии
Полупроводниковые гамма-детекторы
Полупроводниковые детекторы на основе кристаллов CZT обеспечивают прямое преобразование энергии излучения в электрический сигнал. Они компактны (<1 см3) и успешно работают при комнатных температурах, не требуя охлаждения жидким азотом, но при этом обладают...
Группа: Детекторы гамма-излучения образцовые
В наличии
Монодисперсные нанопорошки из сферических гетерочастиц типа «ядро-оболочка»
Монодисперсные нанопорошки из сферических гетерочастиц типа «ядро-оболочка» (дисперсия по размерам <10%)
Гетерочастицы «ядро SiO2/оболочка (Lu1-xEux)2O3» (x = 0.07)
Диаметр ядра SiO2 (±7 %): 200, 260, 330...
Группа: Нанопорошки
В наличии
Полупроводниковые детекторы на основе кристаллов CZT обеспечивают прямое преобразование энергии излучения в электрический сигнал. Они компактны (<1см3) и успешно работают при комнатных температурах, не требуя охлаждения жидким азотом, но при этом обладают энергетическим разрешением в...
Группа: Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые
В наличии
Монодисперсные нанопорошки из сферических частиц оксидов редкоземельных металлов
Монодисперсные нанопорошки РЗЭ со сферической формой частиц (дисперсия по размерам <10%).
Lu2O3, Y2O3
Размер частиц в диапазоне от 40 до 250 нм.
Дисперсия по размерам: ≤10%.
Удельная поверхность: 12,0-21,3...
Группа: Нанопорошки
В наличии
Сцинтилляционные элементы на основе кристаллов CdWO4 (параллелепипед, цилиндр) и сцинтиблоки на их основе.
Характеристики выращиваемых монокристаллов:
Размеры:
диаметр - до 60 мм,
длина - до 150 мм.
Максимум люминесценции 490 нм.
Световой выход (% от NaJ:Tl) 30-50.
Послесвечение...
Группа: Блоки детектирования сцинтилляционные
В наличии
Оптика и оптические приборы
Материал: ZnSe
Размеры, макс.: 40×40×100 мм3
Форма: параллелепипед, призма, цилиндр
Группа: Оптика и оптические приборы
Цена:
9 грн
Метод горизонтальной направленной кристаллизации (ГНК) позволяет выращивать сапфир любой кристаллографической ориентации в виде пластин рекордных размеров (350х500х40 мм3), недоступных другим ростовым методам.
Метод ГНК обладает рядом существенных достоинств по сравнению с другими расплавными...
Группа: Инжиниринг